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BKTEM-D3A型高溫材料熱電性能測(cè)試儀是一款集成度高的，應(yīng)用對(duì)于熱電材料熱電性質(zhì)參數(shù)賽貝克系數(shù)和電導(dǎo)率進(jìn)行測(cè)量。

主要應(yīng)用領(lǐng)域：

1、半導(dǎo)體行業(yè)

2、能源和環(huán)境工程

3、熱電測(cè)量

4、制冷行業(yè)

5、大學(xué)研究與教學(xué)

6、材料：半導(dǎo)體、金屬與合金

7、工業(yè)領(lǐng)域：汽車/航空/航天，開發(fā)研究和學(xué)術(shù)研究，半導(dǎo)體行業(yè)/傳感器/熱電發(fā)電機(jī)/制冷設(shè)備 

主要熱電材料體系：

Bi2Te3/Sb2Te3體系

PbTe體系

SiGe體系

CoSb3為代表的方鉆礦型熱電材料

Zn4Sb3  

技術(shù)特點(diǎn)：

·可控溫場(chǎng)下可同步測(cè)量賽貝克系數(shù)和電阻率

·標(biāo)準(zhǔn)配置進(jìn)口高級(jí)商用吉時(shí)利（Keithley ）數(shù)采儀表，避免電路板集成數(shù)據(jù)采集技術(shù)帶來(lái)的干擾誤差

Keithley技術(shù)：

100nV rms 噪音本底

直流電壓靈敏度低至 10nV，基本精度為 0.002%（90天）

7ppm DCV 可重復(fù)性，基本 1 年 DCV 準(zhǔn)確度：0.0028%

最大讀取速度范圍：2k 讀數(shù)/秒；

溫度分辨率：0.001℃；

交流電壓分辨率：0.1μV

電阻分辨率：1 μΩ

電流分辨率：1nA

低功耗歐姆測(cè)量模式

弱電流電路測(cè)試功能

偏置補(bǔ)償歐姆功能

檢定低壓元件又快又準(zhǔn)確

提高測(cè)量精度的置信度

以低至 100μA 的源電流測(cè)量低阻抗，大大減少設(shè)備自發(fā)熱

進(jìn)行電阻測(cè)量時(shí)控制測(cè)試電壓，避免擊穿可能已形成的任何氧化物或膜

消除會(huì)在系統(tǒng)環(huán)境中進(jìn)行低電平電阻測(cè)量時(shí)產(chǎn)生錯(cuò)誤的熱效應(yīng)

提供更的低電阻測(cè)量

·標(biāo)配進(jìn)口高級(jí)商用電流源（ADCMT），非電路板集成恒流源，避免無(wú)法精準(zhǔn)輸出小電流而產(chǎn)生熱效應(yīng)和測(cè)不準(zhǔn)

·恒流源參數(shù)：0.000-220mA；恒流設(shè)置分辨率：100nA；恒流穩(wěn)定性：0.008+20nA/天

·溫度范圍：RT up to 1200℃
·控溫速率：0.01 –100K/min，可以節(jié)約用戶測(cè)試時(shí)間

·配置垂直放樣結(jié)構(gòu)，上下樣品支架夾持

·測(cè)量范圍：賽貝克系數(shù)：0.5μV/K-25V/K；電阻率：0.2μOhmm-2.5KOhmm

·0-80K溫差范圍可任意設(shè)置溫差值及溫差點(diǎn)的個(gè)數(shù)

·U-I曲線自動(dòng)掃描，計(jì)算出合適的電流數(shù)值， 可以測(cè)量電導(dǎo)率；不會(huì)對(duì)大電阻樣品產(chǎn)生誤差

·鉑金大電極設(shè)計(jì)，和樣品可充分接觸，對(duì)于不均勻樣品也可獲得良好的導(dǎo)電測(cè)試

·熱電偶間距可以根據(jù)樣品尺寸調(diào)節(jié)后固定，滿足不同科研要求精度：賽貝克系數(shù)：±7%；電導(dǎo)系數(shù)：±7%（熱電材料測(cè)試，非康銅標(biāo)樣）；重復(fù)性：3%

·高級(jí)應(yīng)用程序控溫技術(shù)，包括溫差和測(cè)量步進(jìn)等高級(jí)要求

·自由升/降溫、控制溫度程序，進(jìn)行升溫、恒溫與降溫過(guò)程中的數(shù)據(jù)測(cè)量 

·熱電偶探針可選K、S、R型（無(wú)需鎧裝）配置，不會(huì)產(chǎn)生非常大的接觸電阻

·自動(dòng)壓力安全保護(hù)設(shè)計(jì)，進(jìn)口美國(guó)航天級(jí)硬件配置，確保測(cè)試過(guò)程中不會(huì)發(fā)生爆炸

·測(cè)量系統(tǒng)：柱狀、片狀、長(zhǎng)方體、薄膜等系統(tǒng)可選

技術(shù)規(guī)格